半导体元器件是构成现代电子设备和系统的基础，其性能的好坏、稳定性的高低直接影响到电子设备的性能和可靠性。从最笼统的角度说，我们可以利用半导体参数分析仪对半导体器件进行IV参数测试，即电压和电流关系的测试，也可以延展到CV参数测试即电容相关的测试。

　　通过以上测试，我们可以得到半导体器件的电阻特性、电容特性和晶体管的增益特性；也可以通过精密的电器特性测量，得到器件的工艺参数直至半导体器件的物理信息，如离子注入浓度（也称掺杂浓度）、薄膜厚度、线宽和氧化电荷等。经常涉及的测量参数如下图：

　　这些参数的测试对于判断半导体器件的性能、分析其工作机制，以及进行进一步的器件优化都有着极其关键的作用，下面的篇幅，我们重点就直流静态参数测试展开。

　　静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数，主要包括：门极开启电压、门极击穿电压，集电极发射极间耐压、集电极发射极间漏电流、寄生电容（输入电容、转移电容、输出电容），以及以上参数的相关特性曲线的测试。

　　除了普通硅基(Si)，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等全新宽带隙材料能够支持大电压和高切换速度，在新兴大功率应用领域具有广阔前景，IGBT/SiC/GaN器件与模组，可以作为众多应用的电子开关，并且其重要性持续增加。在高电压直流偏置条件下(高达 3 kV)，高击穿电压(达 10 kV)、大电流(数千安培)、栅极电荷以及连接电容表征和器件温度特征和GaN器件电流崩溃效应测量功能都十分必要，是推动新器件尽快上市的重要保证。

　　面对功率器件高压、高流的测试要求，可以使用B1505A和B1506A对芯片、分立器件及模组等功率器件进行全参数测试，包括：

　　使用B1506A的Datasheet测试功能对某IGBT功率模块进行实测，整个测试过程使用非常简单，在极短的时间内完成IV、CV和Qg参数测试。具体测试步骤如下：

　　测试完成后，可以生成Datasheet测试报告如下所示，包括IV参数（击穿电压、漏电、开启特性），CV参数（Rg、输入、输出和反向传输电容）和栅极电荷Qg。

　　在实际测量中，工程师会遇到不同的问题和困扰，这里总结了一些常见的可能出现的问题，帮大家在实际工作中避坑。

　　接地单元不能直接使用，必须通过设备自带的适配器进行连接后，适配器把接地单元的输入转换成Source和Sense，与SMU的输出对应。

　　如果用Sense接口做测试，电流会流经内部电阻Rs，如果DUT电阻小，测量精度会受到影响，Force才是真正驱动输出的接口。

　　Tips：把Sense作为观测通道，可连接到示波器，观看输出测量的电压变化过程。

　　a. 连接的线缆必须共地，否则线缆之间的互感影响会导致测量电容的精度下降；

　　a. 脉冲设置参数不对，如脉宽太短等原因，通过增加脉宽和增加测量时间来修正；

　　b. 震荡，通过双绞线连接以减小互感；通过对栅极串联电阻的选择以减小信号反射的震荡；通过外加磁环减少互感；通过栅极接50欧姆电阻到地吸收放射信号等方法改善DUT稳定性来消除自激。

　　* 礼品图片仅供参考，请以实物为准。请在填写问卷时留下详细地址，如遇地址不详无法寄送，敬请谅解。

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