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上海积塔申请外延测试片相关专利降低测试成本

  

上海积塔申请外延测试片相关专利降低测试成本

  金融界2025年4月23日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“外延测试片及其制作方法、和外延生长测试方法”的专利,公开号 CN119812165A,申请日期为2025年1月。

  专利摘要显示,本发明提供了外延测试片及其制作方法、和外延生长测试方法,通过在外延生长之前,在半导体衬底中的第一区域进行重掺杂以形成反型掺杂区,该反型掺杂区相比于半导体衬底中的第二区域及外延层为重掺杂区,因此半导体衬底包含了相对于外延层的重掺杂区及相对于该重掺杂区的轻掺杂区。这样,在外延生长之后,对于半导体衬底中重掺杂区的位置,可以对外延层进行厚度测量,而对于半导体衬底中轻掺杂区的位置,可以对外延层进行电阻率测量。因此,使用本实施方式的外延测试片的制作方法制作的外延测试片,使用该单片半导体衬底,进行一次外延生长,就能得到用来测试外延层厚度及电阻率的外延测试片,这降低了产品成本及工艺成本,进一步降低了测试成本。

  天眼查资料显示,上海积塔半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资PG电子本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析,上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1791次,财产线条,此外企业还拥有行政许可191个。

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