：光刻工艺主要包括涂胶（spin coating）、软烘（soft bake）、对准（alignment）、曝光（exposure）、显影（developing）和硬烘（hard bake）。在这些步骤中，光刻胶被涂覆在晶圆表面，通过曝光和PG电子通信显影形成特定的图案。

　　关键尺寸（CD）：关键尺寸是指在半导体制造中，器件或线条的最小可控制尺寸。CD直接影响到芯片的性能和产量。

　　光谱范围：光刻中使用的光源的波长范围。常见的光谱范围包括紫外光（如G线、i线）和深紫外光（如KrF和ArF）。

　　分辨率：光刻工艺中能够分辨的最小特征尺寸。分辨率受光源波长和数值孔径（NA）的影响。根据瑞利准则，分辨率公式为R= kl * λ/NA，λ代表光源波长，NA代表物镜的数值孔径，kl代PG电子通信表光刻工艺因子。

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