第一章 常用半导体器件;§1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;四、PN 结的电容效应;问题;§2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路;四、二极管的主要参数;讨论：解决两个问题;五、稳压二极管;;§1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;讨论一;讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性;利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。;BJT管特点 1）是“电流控制型”器件（IB控制IC）； 2）要得到所需的放大（控制）特性，三个极外加电压极性必须正确，且管子处于放大区； 3）要取得大的控制电流，输入阻抗不能太高； 4）极间漏电流是十分有害的。;;§1.4 场效应管（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;g-s电压控制d-s的等效电阻;2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型 MOS管;MOS管的特性;利用Multisim测试场效应管的输出特性

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