2026年7月25日至27日，由国家第三代半导体技术创新中心（苏州）与内蒙古大学联合主办的“2026 MOCVD暑期讲习班”（以下简称“讲习班”）在内蒙古大学北校区学术会议中心举办，聚集了来自全国高校、科研院所及产业链重点企业的140余名学员。作为第十九届全国MOCVD学术会议的同期先导活动，讲习班面向高校师生、科研人员与产业工程师，以两天专题授课搭建了化合物半导体领域的人才培养与产学研交流平台。

　　本次讲习班邀请了六位来自顶尖高校、国家级平台与龙头企业的权威专家，围绕第三代半导体技术体系展开系统性讲授。

　　宁波东方理工大学物理学院院长、讲席教授魏苏淮从计算半导体材料学出发，系统讲解了第一性原理在宽禁带半导体能带结构与缺陷调控中的应用，展示如何通过理论计算加速新材料发PG电子网站现，为材料设计提供“从0到1”的源头创新工具。

　　广东工业大学百人计划特聘教授张紫辉聚焦GaN器件面临的界面势垒、缺陷诱导非辐射复合等瓶颈，介绍了TCAD仿真建模方法在载流子/光子输运调控中的应用，其研究成果已支撑重点领域企业的技术发展。

　　西安电子科技大学集成电路学部执行主任、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华教授梳理了GaN射频功率芯片在材料外延、器件结构、封装散热等方面的进展，分析了5G/6G及相控阵雷达应用需求下的发展方向。

　　国家第三代半导体技术创新中心（苏州）先进键合研发中心主任梁剑波提出异质集成是突破器件功耗墙与热管理瓶颈的重要路径，分享了其在实现半导体与金刚石常温直接键合方面的原创成果，并介绍了金刚石基GaN等前沿进展。

　　中微半导体设备股份有限公司集团副总裁郭世平系统讲解了国产MOCVD设备在反应腔体设计、原位监测及智能化控制方面的突破，展望了大尺寸规模化生产的行业前景。

　　北京大学物理学院教授杨学林聚焦GaN异质结构材料体系，从MOCVD外延生长、杂质点缺陷到原子尺度位错运动规律展开深入PG电子网站讲解，分享了与企业产学研合作中的前沿成果。

　　六位专家的报告覆盖了理论计算、器件仿真、射频芯片、异质集成、MOCVD装备、外延材料与缺陷研究六个关键方向，形成从微观机理到产业应用的技术链条，帮助学员建立第三代半导体领域系统性的知识框架。

　　开班过程中，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任徐科作了专题分享。围绕国创中心（苏州）的建设进展与平台布局，向学员介绍了中心在公共研发平台建设、创新人才集聚、关键技术攻关、协同创新网络构建等方面的探索实践。国创中心（苏州）以关键技术研发为突破，围绕第三代半导体产业关键共性技术，已建成材料生长创新平台、测试分析与服役评价平台、器件工艺平台等公共研发体系，形成从材料到系统的全链条支撑能力。徐科主任的分享让大家对支撑产业发展的平台有了具象化、系统性的认知，也看到了从实验室成果到产业化应用的具体路径。

　　在授课结束后，授课专家为参与学习的学员颁发结业证明，并对讲习班两天的学习内容进行总结回顾。至此，2026 MOCVD暑期讲习班圆满落幕。

　　本次讲习班作为第十九届全国MOCVD学术会议的同期先导活动，一方面，高校科研人员将前沿理论带入课堂，进一步强化学员从理论层面建立对技术逻辑的系统认知；另一方面，企业代表带来的分享的实战方法论与典型成果，让研究始终贴着产业脉搏。这种双向奔赴的交流与互动，不仅让理论在产业土壤中生根发芽，也让产业实践在科学逻辑中提质，为产学研用深度融合的良性循环提供生动注脚。

　　年度盛会：第十二届国际第三代半导体论坛&第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将于2026年11月16-19日在苏州召开。论坛作为汇聚政、产、学、研、用、资全链条优质资源，融通全球资源的国际化交流合作平台，将为行业创新与跨界融合寻找新的动力源泉，发掘第三代半导体产业发展的新引擎、新动能。论坛论文集被IEEE等多家学术机构收录，影响力覆盖全球产业界与学术界。